日前,DRAMeXchange集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心報(bào)告顯示,隨著64/72層3D NAND良品率不斷提高及供給持續(xù)增加,2018第三季度NANDFlash供給穩(wěn)定增長(zhǎng);而受周邊電子元件缺貨及中美摩擦影響,閃存芯片價(jià)格平均降低10-15%。
具體而言,如三星在Q3季度位元出貨量雖實(shí)現(xiàn)近20%的季成長(zhǎng)。但受外圍影響,三星閃存芯片平均單價(jià)下跌15%,第三季營(yíng)收為60.5億美元,較上季增長(zhǎng)2.1%。
同樣,受智能手機(jī)以及PC SSD市場(chǎng)推動(dòng),SK海力士位元出貨量在第三季度實(shí)現(xiàn)19%的季成長(zhǎng),同樣受大環(huán)境影響,供過(guò)于求局面無(wú)法扭轉(zhuǎn),SK海力士閃存芯片平均單價(jià)下跌10%,整體營(yíng)收18.3億美元,較上季增長(zhǎng)6.0%。除三星、SK海力士外,英特爾、美光、東芝及西數(shù)四家廠商閃存芯片平均單價(jià)均有不同程度下跌。
究其緣由,64/72層3D NAND良品率不斷提高,使得閃存芯片出貨量持續(xù)增加,而受英特爾CPU缺貨、中美摩擦不斷,閃存需求量并不積極,NAND市場(chǎng)供大于求。