三星公布1000層V-NAND技術 比16G還小 世界看熱訊


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據(jù)了解,三星存儲業(yè)務的高級管理人員最近在一個電子工程師協(xié)會的夏季會議上宣布,到2030年,V-NAND能夠疊加到1000多層。三星預測,V-NAND的競爭將持續(xù)到1000層以上。三星從2013年開始推出24層的V-NAND,十年來已經(jīng)發(fā)展到200多層。 值得一提的是,三星最初推出的V-NAND每個die的容量有128Gb(16GB),通過3D堆疊技術可以實現(xiàn)最多24層die堆疊,也就是說,24層堆疊的總?cè)萘繉⑦_到384GB。 三星的高管表示,正因為有V-NAND的存在,才使得NAND的歷史能夠得以延續(xù),這是韓國國家創(chuàng)造技術和生態(tài)系統(tǒng)的成功事例之一。他們還認為,要推動1000層的NAND技術,就像建設摩天大樓一樣,需要考慮坍塌、彎曲、斷裂等多方面的穩(wěn)定性問題,同時還需要克服連接孔加工工藝、最小化電池干擾、縮短層高以及擴大每層存儲容量等挑戰(zhàn)。

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